2SB566 （ K） ， 2SB566A （ K）
电气特性
（ TA = 25°C ）
2SB566(K)
项
收藏家基地
击穿电压
集电极到发射极
击穿电压
发射器基
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
民
–70
–50
–5
—
60
35
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
15
0.3
3.0
2.5
最大
—
—
—
–1
200
—
–1.0
–1.2
—
—
—
—
2SB566A(K)
民
–70
–60
–5
—
60
35
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
15
0.3
3.0
2.5
最大
—
—
—
–1
200
—
–1.0
–1.2
—
—
—
—
V
V
兆赫
µs
µs
µs
单位
V
V
V
µA
测试条件
I
C
= –10
µA,
I
E
= 0
I
C
= -50毫安，R
BE
=
∞
I
E
= –10
µA,
I
C
= 0
V
CB
= -50 V，I
E
= 0
V
CE
= -4 V，I
C
= –1 A
V
CE
= -4 V，I
C
= –0.1 A
I
C
= -2 A，I
B
= –0.2 A
I
C
= -2 A，I
B
= –0.2 A
V
CE
= -4 V，I
C
= –0.5 A
V
CC
= –10.5 V
I
C
= 10I
B1
= –10I
B2
=
–0.5 A
直流电流tarnsfer比H
FE1
*
1
h
FE2
集电极到发射极
饱和电压
基极到发射极
饱和电压
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
增益带宽乘积F
T
启动时间
关闭时间
贮存时间
注意：
B
60至120
t
on
t
关闭
t
英镑
1. 2SB566 （K）和2SB566A （K）是用h分组
FE1
如下。
C
100至200
2
HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
