2SC1162 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SC1162
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内容描述：	NPN硅外延 [Silicon NPN Epitaxial]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 32 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

2SC1162

典型的输出特性

2.0

集电极耗散功率P

(W)

最大集电极耗散曲线

集电极电流I

(A)

1.6

= 25°C

1.2

0.4

2毫安

= 0

100

150

200

案例温度T

(°C)

集电极到发射极电压V

(V)

0.8

典型的传输特性

2.0

= 2 V

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4

基极至发射极电压V

(V)

= 75°C

直流电流传输比H

1.0

集电极电流I

(A)

–25

280

240

200

160

直流电流传输比主场迎战

集电极电流

= 2 V

= 75°C

120

0.01

–25

0.3

0.03

0.1

1.0

集电极电流I

(A)

3.0

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