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2SC2611 参数 Datasheet PDF下载

2SC2611图片预览
型号: 2SC2611
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内容描述: 硅NPN三重扩散 [Silicon NPN Triple Diffused]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 32 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SC2611
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
100
直流电流传输比H
FE
典型的传输特性
100
集电极电流I
C
(MA )
50
V
CE
= 20 V
20
10
5
80
Ta
5
°
C
=7
25
–25
V
CE
= 20 V
脉冲
60
40
20
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
0
1
2
5
10
20
50
集电极电流I
C
(MA )
100
集电极到发射极饱和
电压与集电极电流
集电极到发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
10
5
I
C
= 10 I
B
脉冲
增益带宽乘积F
T
(兆赫)
100
增益带宽积主场迎战
集电极电流
80
V
CE
= 20 V
2
1.0
0.5
T
C
=
75
°
C
25
60
–2
5
40
0.2
0.1
1
2
5
10 20
50
集电极电流I
C
(MA )
100
20
0
1
2
5
10
20
50
集电极电流I
C
(MA )
100
3