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    2SC2620 参数 Datasheet PDF下载

    2SC2620图片预览
    型号： 2SC2620
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延平面 [Silicon NPN Epitaxial Planar]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
    文件页数/大小： 5 页 / 27 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SC2620的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SC2620的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC2620的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SC2620的Datasheet PDF文件第5页  
    2SC2620
    绝对最大额定值
    （ TA = 25°C ）
    项
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    Tj
    TSTG
    评级
    30
    20
    4
    20
    100
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °C
    °C
    电气特性
    （ TA = 25°C ）
    项
    集电极基极击穿
    电压
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    民
    30
    20
    4
    —
    —
    60
    —
    —
    —
    —
    典型值
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    0.17
    0.72
    940
    0.9
    最大
    —
    —
    —
    0.5
    0.5
    200
    —
    —
    —
    —
    V
    V
    兆赫
    pF
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    测试条件
    I
    C
    = 10
    µA,
    I
    E
    = 0
    I
    C
    = 1毫安，R
    BE
    =
    ∞
    I
    E
    = 10
    µA,
    I
    C
    = 0
    V
    CB
    = 10 V，I
    C
    = 0
    V
    EB
    = 2 V，I
    C
    = 0
    V
    CE
    = 6 V，I
    C
    = 1毫安
    I
    C
    = 20 mA时，我
    B
    = 4毫安
    V
    CE
    = 6毫安，我
    C
    = 1毫安
    V
    CE
    = 6 V，I
    C
    = 5毫安
    V
    CB
    = 10 V，I
    E
    = 0中，f = 1 MHz的
    集电极到发射极击穿V
    （ BR ） CEO
    电压
    发射器基极击穿
    电压
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流传输比
    集电极到发射极饱和
    电压
    基地发射极电压
    增益带宽积
    集电极输出电容
    注意：
    GRADE
    标志
    h
    FE
    B
    QB
    60至120
    C
    QC
    100至200
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    *
    1
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE
    f
    T
    COB
    1. 2SC2620用h分组
    FE
    如下。
    见2SC535的特性曲线。
    2

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