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    2SD1376 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1376图片预览
    型号： 2SD1376
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延 [Silicon NPN Epitaxial]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 36 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SD1376的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SD1376的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1376的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SD1376的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SD1376的Datasheet PDF文件第6页  
    2SD1376(K)
    集电极到发射极饱和电压V
    CE （SAT）
    (V)
    基地发射极饱和电压V
    BE （SAT）
    (V)
    饱和电压与集电极电流
    10
    3
    1.0
    V
    CE （SAT）
    0.3
    l
    C
    /l
    B
    = 500
    0.1
    0.03
    0.01
    0.03
    TA = 25°C
    脉冲测试
    0.1
    0.3
    1.0
    集电极电流I
    C
    (A)
    3
    200
    10
    3
    开关时间t（微秒）
    1.0
    t
    on
    0.3
    t
    f
    0.1
    0.03
    0.01
    0.03
    TA = 25°C
    V
    CC
    = 30 V
    I
    C
    = 500 I
    B1
    = –500 I
    B2
    脉冲测试
    0.1
    0.3
    1.0
    集电极电流I
    C
    (A)
    3
    t
    英镑
    开关时间与集电极电流
    V
    BE （SAT）
    瞬态热阻
    100
    热阻
    θ
    J- ç
    （ ° C / W）
    30
    10
    3
    0
    为0.1〜 100秒
    s
    0m
    o 10
    .1 t
    1.0
    0.3
    0.1
    0.1
    0.1
    T
    C
    = 25°C
    1.0
    1.0
    时间T
    10
    10
    100 (s)
    100（ ms）的
    4

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