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2SD669 参数 Datasheet PDF下载

2SD669图片预览

型号：	2SD669
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内容描述：	NPN硅外延 [Silicon NPN Epitaxial]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 38 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

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2SD669 ， 2SD669A

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SD669

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基

击穿电压

收藏家Cuto FF电流

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

民

180

120

5

—

60

30

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

—

—

140

14

最大

—

—

—

10

320

—

1

1.5

—

—

2SD669A

民

180

160

5

—

60

30

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

—

—

140

14

最大

—

—

—

10

200

—

1

1.5

—

—

V

V

兆赫

pF

单位

V

V

V

µA

测试条件

I

C

= 1毫安，我

E

= 0

I

C

= 10毫安，R

BE

=

∞

I

E

= 1毫安，我

C

= 0

V

CB

= 160 V，I

E

= 0

V

CE

= 5 V，I

C

= 150毫安*

2

V

CE

= 5 V，I

C

= 500毫安*

2

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安*

2

V

CE

= 5 V，I

C

= 150毫安*

2

V

CE

= 5 V，I

C

= 150毫安*

2

V

CB

= 10 V，I

E

= 0,

F = 1 MHz的

直流电流传输比H

FE1

*

1

h

FE2

集电极到发射极

饱和电压

V

CE （ SAT ）

基极至发射极电压V

BE

增益带宽乘积F

T

集电极输出

电容

COB

注：1. 2SD669和2SD669A是用h分组

FE1

如下。

2.脉冲测试。

B

2SD669

2SD669A

60至120

60至120

C

100至200

100至200

D

160到320

—

最大集电极耗散

曲线

30

集电极耗散功率P

C

(W)

3

集电极电流I

C

(A)

安全工作区

（ 13.3 V， 1.5 A）

1.0

（ 40 V ， 0.5 A ）

0.3

0.1

0.03

2SD669

0.01

DC操作（T

C

= 25°C)

（ 120 V ， 0.04 A）

（ 160 V， 0.02A ）

2SD669A

20

10

0

50

100

案例温度T

C

(°C)

150

1

3

10

30

100

300

集电极到发射极电压V

CE

(V)

3

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