2SJ246
L
， 2SJ246
S
硅P沟道MOS场效应管
应用
DPAK–1
高速电源开关
4
4
特点
12
3
12
3
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
4V栅极驱动器可以驱动
5V电源。
•适用于开关稳压器，直流 - 直流
变流器
•
•
•
•
2, 4
1
3
1.门
2.漏
3.源
4.漏
表1绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
I
DR
PCH **
总胆固醇
TSTG
评级
–30
±20
–7
–28
–7
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
*
PW
≤
10微秒，占空比
≤
1 %
**
在Tc值= 25°C
HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
