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2SK1151 参数 Datasheet PDF下载

2SK1151图片预览
型号: 2SK1151
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 51 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SK1151 (L) (S) - , 2SK1152 (L) (S)
电气特性
( TA = 25°C )
漏极至源极
击穿电压
符号最小值
2SK1151 V
( BR ) DSS
2SK1152
V
( BR ) GSS
I
GSS
450
500
±30
±10
100
V
µA
µA
I
G
=
±100 µA,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 360 V, V
GS
= 0
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0
V
GS ( OFF )
2.0
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
0.6
3.5
4.0
1.1
160
45
5
5
10
20
10
1.0
220
3.0
5.5
6.0
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 1.5 A,V
GS
= 0
I
F
= 1.5 A,V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
I
D
= 1 A,V
GS
= 10 V,
R
L
= 30
I
D
= 1 A,V
DS
= 20 V *
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
I
D
= 1毫安, V
DS
= 10 V
I
D
= 1 A,V
GS
= 10 V *
1
典型值
最大
单位
V
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= 0
栅源击穿
电压
门源漏电流
零栅极电压
漏电流
2SK1151我
DSS
2SK1152
门源截止电压
静态漏源2SK1151 ř
DS ( ON)
在stateresistance
2SK1152
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
注意:
1.脉冲测试
3