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    2SK1328 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1328图片预览
    型号： 2SK1328
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 6 页 / 36 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK1328的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1328的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1328的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1328的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1328的Datasheet PDF文件第6页  
    2SK1328 ， 2SK1329
    功率与温度降额
    120
    通道耗散P沟（W）的
    100
    30
    漏电流I
    D
    (A)
    80
    10
    3
    1.0
    0.3
    TA = 25°C
    0.1
    0
    50
    100
    案例温度T
    C
    (°C)
    150
    1
    3
    30
    10
    100 300 1,000
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    D
    C
    1
    10
    10
    0
    µ
    s
    最高安全工作区
    µ
    s
    PW
    =
    pe
    ra
    TIO
    n
    O
    m
    s
    10
    (T
    m
    s
    (1
    )
    ot
    Sh
    C
    40
    在这一领域
    由R有限公司
    DS （ ON）
    =
    25
    °C
    2SK1329
    2SK1328
    )
    归瞬态热阻抗
    γ
    S
    (t)
    归瞬态热阻抗与脉冲宽度
    3
    D=1
    0.5
    0.3
    0.1
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    θch -C
    (t) =
    γ
    S
    (t) ·
    θch -C
    θch -C
    = 2.08 ° C / W ，T
    C
    = 25°C
    P
    DM
    ULSE
    1.0
    T
    C
    = 25°C
    0.03
    0.01
    10
    µ
    P
    热
    1S
    T
    1m
    10 m
    脉冲宽度PW （S ）
    100 m
    PW
    1
    D = PW
    T
    100
    µ
    10
    4

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