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2SK1628 参数 Datasheet PDF下载

2SK1628图片预览
型号: 2SK1628
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 6 页 / 37 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SK1628 , 2SK1629
功率与温度降额
300
通道耗散P沟(W)的
500
200
最高安全工作区
ar
ea
漏电流I
D
(A)
200
50
20
10
5
2
1
0.5
O
是PE
LIM RA
ITE化
d。在
经t
ř他
D
S
(o
n)
100
DC
PW
1
1
10
0
µ
0
s
µ
s
m
s
Op
er
=
100
ATI
10
C
on
(
m
s
T
(1
=
TA = 25°C
°C
)
2SK1628
2SK1629
25
Sh
ot
)
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
1
3
30
10
100 300 1,000
漏极至源极电压V
DS
(V)
归瞬态热阻抗
γ
S
(t)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
T
C
= 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θch -C
(t) =
γ
S
(t) ·
θch -C
θch -C
= 0.625 ° C / W ,T
C
= 25°C
P
DM
° C / W
PW
D = PW
T
0.02
0.03
0.01
LSE
吨PU
1
T
100
µ
1m
10 m
脉冲宽度PW (S )
100 m
0.01
10
µ
1
10
4