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    2SK163 参数 Datasheet PDF下载

    2SK163图片预览
    型号： 2SK163
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管放大器
    文件页数/大小： 9 页 / 51 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK163的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK163的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK163的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK163的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK163的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK163的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SK163的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2SK163的Datasheet PDF文件第9页  
    2SK1636 （L） 2SK1636 （S）
    电气特性
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源击穿
    电压
    栅源击穿
    电压
    门源漏电流
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    V
    （ BR ） GSS
    I
    GSS
    民
    250
    ±30
    —
    —
    2.0
    —
    6.0
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    典型值
    —
    —
    —
    —
    —
    0.22
    10.0
    1250
    510
    85
    24
    85
    110
    60
    1.0
    400
    最大
    —
    —
    ±10
    250
    3.0
    0.27
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    单位
    V
    V
    µA
    µA
    V
    Ω
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    ns
    I
    F
    = 15 A，V
    GS
    = 0
    I
    F
    = 15 A，V
    GS
    = 0,
    di
    F
    / DT = 100 A / μs的
    I
    D
    = 8 A，V
    GS
    = 10 V,
    R
    L
    = 3.75
    Ω
    测试条件
    I
    D
    = 10 mA时， V
    GS
    = 0
    I
    G
    =
    ±100 µA,
    V
    DS
    = 0
    V
    GS
    =
    ±25
    V, V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = 200 V, V
    GS
    = 0
    I
    D
    = 1毫安， V
    DS
    = 10 V
    I
    D
    = 8 A，V
    GS
    = 10 V *
    1
    I
    D
    = 8 A，V
    DS
    = 10 V *
    1
    V
    DS
    = 10 V, V
    GS
    = 0,
    F = 1 MHz的
    零栅极电压漏极电流I
    DSS
    门源截止电压
    静态漏源导通状态
    阻力
    正向转移导纳
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    身体向前漏二极管
    电压
    体漏二极管反向
    恢复时间
    记
    1.脉冲测试
    V
    GS （ OFF ）
    R
    DS （ ON）
    | YFS |
    西塞
    科斯
    CRSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    DF
    t
    rr
    3

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