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2SK2956 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SK2956
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内容描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 开关电源开关
文件页数/大小: 9 页 / 49 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SK2956
体漏二极管的反向
恢复时间
100
反向恢复时间trr ( NS )
典型的电容比。
漏源极电压
10000
3000
1000
科斯
300
100
300
10
0
10
20
30
40
50
漏极至源极电压V
DS
(V)
CRSS
电容C (PF )
50
20
10
5
2
1
0.1
西塞
的di / dt = 50A / μs的
V
GS
= 0 , TA = 25℃
0.3
1
3
10
30
100
反向漏电流I
DR
(A)
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
动态输入特性
V
DS
(V)
V
GS
(V)
开关特性
20
1000
500
开关时间t( NS )
50
I
D
= 50 A
40
V
GS
30
V
DS
V
GS
= 10 V, V
DD
= 10 V
PW = 5微秒,占空比< 1 %
吨D(关闭)
16
漏源极电压
20
V
DD
= 5 V 12
10 V
25 V
8
栅极至源极电压
200
tf
100
tr
50
吨D(上)
20
10
0.1 0.2
10
V
DD
= 25 V
10 V
5V
20
40
60
80
栅极电荷Qg ( NC )
4
0
100
0
0.5 1 2
5 10 20
漏电流I
D
(A)
50
5