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2SK3141 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SK3141
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内容描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
文件页数/大小: 10 页 / 54 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SK3141
主要特点
功率与温度降额
160
1000
最高安全工作区
300
100
30
10
P沟(W)的
10
PW
s
1
=
m
DC
10
s
Op
ms
(1
e
s
(T慧慧
C =上
)
25
操作
°C
)
10
120
散热通道
80
漏电流
I
D
(A)
µs
40
3这个区域是
限于由R
DS ( ON)
1
0.3
0
50
100
150
TC ( ℃)
200
外壳温度
0.1 TA = 25℃
3
30
0.1 0.3
1
10
100
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
100
V
GS
= 10 V
5V
4V
60
3V
100
脉冲测试
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
I
D
漏电流
(A)
80
80
60
漏电流
40
40
25°C
75°C
TC = -25°C
4
5
V
GS
(V)
20
2.5 V
20
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
0
1
2
3
栅极至源极电压
4