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2SK3155 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SK3155
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内容描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
文件页数/大小: 9 页 / 53 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SK3155
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(V)
脉冲测试
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(
)
5
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1.0
脉冲测试
0.5
0.2
V
GS
= 4 V
0.1
10 V
4
3
2
I
D
= 15 A
10 A
5A
0.05
1
0.02
0.01
0.1
0
12
4
8
栅极至源极电压
16
20
V
GS
(V)
0.3
1
3
漏电流
10
30
I
D
(A)
100
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(
)
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.5
脉冲测试
0.4
5A
0.3
I
D
= 10 A
正向转移导纳主场迎战
漏电流
1000
300
100
30
75 °C
1
0.3
0.1
0.1 0.2
0.5 1
2
5
TC = -25°C
25 °C
0.2
V
GS
= 4 V
0.1
10 V
0
–40
0
40
80
120
160
壳温度( ° C)
10 A
5A
V
DS
= 10 V
脉冲测试
10 20
50 100
漏电流I
D
(A)
4