2SK972 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK972
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内容描述：	硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 42 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

2SK972

功率与温度降额

通道耗散P沟（W）的

500

300

最高安全工作区

漏电流I

(A)

100

LIM PE

伊特鼠

ð离子

通过

第r个

1.0

)

TIO

)

°C

)

TA = 25°C

100

案例温度T

(°C)

150

0.5

0.1

0.3

1.0

100

漏极至源极电压V

(V)

典型的输出特性

10 V

4.5 V

漏电流I

(A)

4.0 V

脉冲测试

3.5 V

3.0 V

= 2.5 V

漏极至源极电压V

(V)

典型的传输特性

75°C

= 10 V

脉冲测试

= 25°C

–25°C

漏电流I

(A)

栅极至源极电压V

(V)

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