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2SK973 参数 Datasheet PDF下载

2SK973图片预览
型号: 2SK973
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 44 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SK973
L
, 2SK973
S
硅N沟道MOS FET
应用
DPAK-1
4
4
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
4 V栅极驱动器
- 可从5 V电源驱动
•适用于电机驱动器, DC-DC变换器,
电源开关和电磁阀驱动器
2, 4
12
3
12
3
S型
1.门
2.漏
3.源
4.漏
3
L型
1
表1绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
*
**
PW
10微秒,占空比
1 %
在T值
C
= 25 °C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(峰)
*
I
DR
PCH **
总胆固醇
TSTG
评级
60
±20
2
8
2
10
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
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