HAT1020 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HAT1020
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内容描述：	硅P沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用：	开关电源开关
文件页数/大小：	10 页 / 57 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

HAT1020R

主要特点

功率与温度降额

4.0

P沟（W）的

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40x40x1.6毫米）， PW < 10秒

3.0

–100

(A)

–30

–10

–3

–1

–0.3

–0.1

最高安全工作区

10 µs 100 µs

漏电流

散热通道

2.0

操作

OTE

＆ LT ;

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

1.0

–0.03

100

150

的Ta （℃）

200

环境温度

–0.01

–1

–3

–10 –30 –100

–0.1 –0.3

漏极至源极电压V

(V)

注4 ：

当使用玻璃环氧基板

（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）

TA = 25℃

1次脉冲

典型的输出特性

–20

–10 V

–6 V

–5 V

–4.5 V

–20

典型的传输特性

= –10 V

脉冲测试

(A)

漏电流

–16

–4 V

脉冲测试

–3.5 V

(A)

–16

–12

漏电流

–8

–3 V

–8

–4

= –2.5 V

–2

–4

–6

漏源极电压

–10

(V)

–8

75 °C

–1

–2

–3

栅极至源极电压

TC = -25°C

25 °C

–4

–5

(V)

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