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HAT1020R 参数 Datasheet PDF下载

HAT1020R图片预览
型号: HAT1020R
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内容描述: 硅P沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 开关电源开关
文件页数/大小: 10 页 / 57 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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HAT1020R
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(V)
脉冲测试
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(
)
–0.5
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1
脉冲测试
0.5
0.2
0.1
V
GS
= –4 V
–0.4
–0.3
I
D
= –5 A
–0.2
–2 A
–1 A
0
–6
–2
–4
栅极至源极电压
–10
V
GS
(V)
–8
0.05
–10 V
–0.1
0.02
0.01
–0.2
–0.5 –1 –2
漏电流
–10 –20
I
D
(A)
–5
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(
)
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.20
脉冲测试
0.16
I
D
= –5 A
V
GS
= –4 V
0.08
–2 A, –1 A
正向转移导纳主场迎战
漏电流
20
10
5
75 °C
2
1
0.5
0.2
–0.2
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–0.5 –1 –2
–5 –10 –20
漏电流I
D
(A)
25 °C
TC = -25°C
0.12
0.04
–10 V
0
–40
–5 A, –2 A, –1 A
0
40
80
120
160
壳温度( ° C)
4