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    HAT2016R 参数 Datasheet PDF下载

    HAT2016R图片预览
    型号： HAT2016R
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 56 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HAT2016R的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HAT2016R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HAT2016R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HAT2016R的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HAT2016R的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HAT2016R的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HAT2016R的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HAT2016R的Datasheet PDF文件第9页  
    HAT2016R
    主要特点
    功率与温度降额
    4.0
    P沟（W）的
    I
    D
    (A)
    测试条件：
    当使用玻璃环氧基板
    （ FR4 40x40x1.6毫米） ， PW < 10秒
    3.0
    最高安全工作区
    10
    µs
    PW
    Op
    er
    at
    离子
    100
    30
    10
    3
    100
    µs
    1
    m
    s
    DC
    =
    10
    m
    散热通道
    漏电流
    s
    2
    iv
    Dr
    2.0
    1
    Dr
    1
    1.0
    香港专业教育学院
    Op
    er
    at
    离子
    0
    50
    100
    150
    的Ta （℃）
    200
    环境温度
    ＆ LT ;
    OTE
    操作
    10
    5
    s)
    0.3这个区域是
    限于由R
    DS （ ON）
    0.1
    TA = 25
    °C
    0.03 1次脉冲
    1驱动器操作
    0.01
    0.1 0.3
    1
    3
    10
    30
    100
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    (P
    W
    N
    典型的输出特性
    20
    10 V
    I
    D
    (A)
    (A)
    16
    6V
    5V
    4.5 V
    4V
    脉冲测试
    16
    20
    12
    I
    D
    e
    e
    Op
    ra
    n
    TIO
    注5：
    当使用玻璃环氧基板
    （ FR4 40x40x1.6毫米）
    典型的传输特性
    TC = -25
    °C
    25
    °C
    75
    °C
    12
    漏电流
    8
    3V
    V
    GS
    = 2.5 V
    0
    2
    4
    6
    漏源极电压
    8
    V
    DS
    (V)
    10
    漏电流
    3.5 V
    8
    4
    4
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    0
    1
    2
    3
    栅极至源极电压
    4
    V
    GS
    (V)
    5
    4

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