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    HM514170CJ-7 参数 Datasheet PDF下载

    HM514170CJ-7图片预览
    型号： HM514170CJ-7
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 262144字×16位的动态随机存取存储器 [262,144-word x 16-bit Dynamic Random Access Memory]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
    文件页数/大小： 26 页 / 195 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HM514170CJ-7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HM514170CJ-7的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HM514170CJ-7的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HM514170CJ-7的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HM514170CJ-7的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HM514170CJ-7的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HM514170CJ-7的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HM514170CJ-7的Datasheet PDF文件第9页  
    HM514170C系列
    HM51S4170C系列
    262,144-word
    ×
    16位的动态随机存取存储器
    1.0版
    1995年7月21日
    描述
    日立HM51 （ S） 4170C是CMOS动态RAM组织为262,144字
    ×
    16-bit.
    HM51 （S） - 4170C通过采用0.8已经意识到更高密度，更高的性能和各种功能
    µm
    CMOS工艺技术和一些新的CMOS电路设计技术。该HM51 （S） - 4170C
    提供快速页面模式的高速接入方式。复用地址输入允许
    HM51 （ S） 4170C在标准的400密耳的40引脚塑料SOJ和标准的400密耳的44引脚封装
    塑料TSOPII 。内部刷新定时器使HM51S4170C自刷新操作。
    特点
    •
    •
    •
    采用5 V （ ± 10 ％ ）
    高速
    - 存取时间： 70纳秒/ 80纳秒（最大）
    低功耗
    - 主动模式： 660毫瓦/ 578毫瓦（最大）
    - 待机模式： 11毫瓦（最大）
    1.1毫瓦（最大） （L-版本）
    快页模式功能
    1024刷新周期： 16毫秒
    128毫秒（L-版本）
    2
    WE
    - 字节控制
    刷新2变化
    —
    RAS
    - 仅刷新
    —
    CAS
    -before-
    RAS
    刷新
    电池备份操作（ L-版）
    自刷新操作（ HM51S4170C ）
    •
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