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HM538123BJ-8 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HM538123BJ-8
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内容描述: 的1M的VRAM ( 128千字×8位)的 [1 M VRAM (128-kword x 8-bit)]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 46 页 / 366 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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HM538123B系列
1M的VRAM ( 128千字
×
8-bit)
ADE - 203-231D ( Z)
修订版4.0
1997年11月
描述
该HM538123B是1兆位多端口视频RAM配备有128千字
×
8位的动态RAM和一个
256-word
×
8位的SAM (串行存取存储器) 。它的RAM和SAM独立运作,
异步。它可以RAM和SAM之间传送数据。此外,它有两种模式,以实现快速
写在RAM中。块写入和闪存的写入模式明确了4个字中的数据
×
8位和1行的数据
(256-word
×
在RAM中的一个周期的8位)分别。和HM538123B使得分割传输周期
可以通过将SAM为两个分裂的缓冲区配备了128字
×
每个8位。这个周期可以
将数据传输到SAM的这是不活动的,并允许连续的串行访问。
特点
多端口企业
RAM和SAM能力异步和同步操作
RAM : 128千字
×
8位和
SAM : 256字
×
8-bit
存取时间
RAM : 60纳秒/ 70纳秒/ 80纳秒/ 100 ns(最大值)
SAM : 20纳秒/ 22纳秒/ 25纳秒/ 25 ns(最大值)
周期
RAM : 125纳秒/ 135纳秒/ 150纳秒/ 180 ns(最小值)
SAM : 25纳秒/ 25纳秒/ 30纳秒/ 30 ns(最小值)
低功耗
主动RAM : 413毫瓦最大
SAM : 275毫瓦最大
待机38.5毫瓦最大
高速页面模式的能力
面膜写模式功能
RAM和SAM能力之间的双向数据传输周期
分割传输周期能力
块写入模式功能
Flash写模式功能