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    HM6216255HJP-12 参数 Datasheet PDF下载

    HM6216255HJP-12图片预览
    型号： HM6216255HJP-12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4M高速SRAM （ 256千字×16位） [4M high Speed SRAM (256-kword x 16-bit)]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管输出元件输入元件
    文件页数/大小： 17 页 / 103 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HM6216255HJP-12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HM6216255HJP-12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HM6216255HJP-12的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HM6216255HJP-12的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HM6216255HJP-12的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HM6216255HJP-12的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HM6216255HJP-12的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HM6216255HJP-12的Datasheet PDF文件第9页  
    HM6216255H系列
    4M高速SRAM （ 256千字
    ×
    16-bit)
    ADE - 203-763D （ Z）
    1.0版
    1998年9月15日
    描述
    该HM6216255H系列是4兆位高速静态RAM举办256 -K字
    ×
    16位。它实现了
    通过采用CMOS工艺（ 4-晶体管+2 - 聚电阻的存储器单元）的高速存取时间和高
    高速电路设计技术。它最适合于需要高速的应用中，高
    密度存储器和宽位宽度配置，例如高速缓存和缓冲存储器中的系统。它被打包
    以400万44引脚塑料SOJ和400万44引脚塑料TSOPII 。
    特点
    •
    单5.0 V供电： 5.0 V
    ±
    10 %
    •
    访问时间： 15年10月12日毫微秒（最大）
    •
    完全静态存储器
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    无需时钟或定时选通
    平等的机会和周期时间
    直接TTL兼容
    所有输入和输出
    工作电流： 200/180/160毫安（最大）
    TTL待机电流： 70/60/50毫安（最大）
    CMOS待机电流5mA （最大）
    1.2 MA（最大值） （L -版）
    数据retansion电流： 0.8毫安（最大值） （L-版本）
    数据retantion电压： 2V（分钟） （L-版本）
    中心V
    CC
    和V
    SS
    引出线类型

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