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    HM624100HJP-12 参数 Datasheet PDF下载

    HM624100HJP-12图片预览
    型号： HM624100HJP-12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4M高速SRAM （ 1 - MWORD X 4 - BIT ） [4M High Speed SRAM (1-Mword x 4-bit)]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 13 页 / 75 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HM624100HJP-12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HM624100HJP-12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HM624100HJP-12的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HM624100HJP-12的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HM624100HJP-12的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HM624100HJP-12的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HM624100HJP-12的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HM624100HJP-12的Datasheet PDF文件第9页  
    HM624100H系列
    4M高速SRAM （ 1 - Mword
    ×
    4-bit)
    ADE - 203-789D （ Z）
    1.0版
    1998年9月15日
    描述
    该HM624100H是4兆高速静态RAM举办1 Mword
    ×
    4位。它实现了高速
    通过采用CMOS工艺（ 4-晶体管+2 - 聚电阻存储单元）和高速电路的存取时间
    设计技术。它最适合于需要高的速度和高密度的应用
    存储器，如高速缓存和缓冲存储器中的系统。该HM624100H打包在400密耳的32引脚SOJ
    对于高密度的表面安装。
    特点
    •
    单5.0 V电源： 5.0 V
    ±
    10 %
    •
    访问时间15年10月12日毫微秒（最大）
    •
    完全静态存储器
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    •
    无需时钟或定时选通
    平等的机会和周期时间
    直接TTL兼容
    所有输入和输出
    工作电流： 200/180/160毫安（最大）
    TTL待机电流： 70/60/50毫安（最大）
    CMOS待机ccurrent ： 5毫安（最大）
    1.2 MA（最大值） （L -版）
    数据重新拉紧电流： 0.8毫安（最大值） （L-版本）
    数据卷紧电压： 2.0 V（分钟） （L -版）
    中心V
    CC
    和V
    SS
    引出线类型

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