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HM628511HJP-15 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HM628511HJP-15
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内容描述: 4M高速SRAM ( 512千字×8位) [4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管输出元件输入元件
文件页数/大小: 13 页 / 76 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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HM628511H系列
4M高速SRAM ( 512千字
×
8-bit)
ADE - 203-762D ( Z)
1.0版
1998年9月15日
描述
该HM628511H系列是4兆位高速静态RAM举办512 -K字
×
8位。它实现了
通过采用CMOS工艺( 4-晶体管+2 - 聚电阻的存储器单元)的高速存取时间和高
高速电路设计技术。它最适合于需要高速的应用中,高
密度存储器和宽位宽度配置,例如高速缓存和缓冲存储器中的系统。它被打包
以400万36引脚塑料SOJ 。
特点
单5.0 V电源: 5.0 V
±
10 %
存取时间为10 /12 /为15ns (最大值)
完全静态存储器
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
直接TTL兼容
所有输入和输出
工作电流:一百六十〇分之一百八/ 140毫安(最大值)
TTL待机电流70 /60 / 50毫安(最大值)
CMOS待机电流5mA (最大)
1.2 MA(最大值) (L -版)
数据重新拉紧电流: 0.8毫安(最大值) (L-版本)
数据重新拉紧电压: 2V(分钟) (L-版本)
中心V
CC
和V
SS
引出线类型