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    HM62V8512CLTT-5SL 参数 Datasheet PDF下载

    HM62V8512CLTT-5SL图片预览
    型号： HM62V8512CLTT-5SL
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 的4M SRAM（ 512千字×8位）的 [4 M SRAM (512-kword x 8-bit)]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 16 页 / 77 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HM62V8512CLTT-5SL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HM62V8512CLTT-5SL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HM62V8512CLTT-5SL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HM62V8512CLTT-5SL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HM62V8512CLTT-5SL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HM62V8512CLTT-5SL的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HM62V8512CLTT-5SL的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HM62V8512CLTT-5SL的Datasheet PDF文件第9页  
    HM62V8512C系列
    的4M SRAM （ 512千字
    ×
    8-bit)
    ADE - 203-1210A （ Z）
    1.0版
    2001年1月31日
    描述
    日立HM62V8512C是4兆的静态RAM举办512千字
    ×
    8位。它实现了更高的密度，
    更高性能和低功耗的采用CMOS工艺技术（ 6晶体管
    存储单元） 。该设备，封装在一个525密耳的SOP （脚打印间距宽度）或400密耳的TSOP II型是
    适用于高密度安装。该HM62V8512C适合电池备份系统。
    特点
    •
    单3.0 V电源： 2.7 V至3.6 V
    •
    访问时间： 55/70 NS （最大值）
    •
    功耗
    主动： 6.0毫瓦/ MHz（典型值）
    待机： 2.4 μW （典型值）
    完全静态存储器。无需时钟或定时选通
    平等的机会和周期时间
    常见的数据输入和输出：三态输出
    直接LV- TTL兼容：所有输入
    电池备份操作
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