HM62V8512CLTT-5SL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HM62V8512CLTT-5SL
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内容描述：	的4M SRAM（ 512千字×8位）的 [4 M SRAM (512-kword x 8-bit)]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	16 页 / 77 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

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HM62V8512C系列

DC特性

参数

输入漏电流

输出漏电流

工作电源

电源电流： DC

操作

电源

当前

符号最小值

—

典型*

—

最大

单位测试条件

µA

VIN = V

到V

= V

, V

I / O

= V

到V

= V

其他= V

, I

I / O

= 0毫安

闵周期，占空比= 100 ％

= V

，其他= V

I / O

= 0毫安

循环时间= 1

µs,

占空比= 100 ％

I / O

= 0 mA时，

≤

0.2 V

≥

– 0.2 V,

≤

0.2 V

= V

VIN

≥

0 V,

≥

– 0.2 V

HM62V8512C -5-我

CC1

HM62V8512C - 7我

CC1

工作电源

电源电流

CC2

—

备用电源

电流： DC

备用电源

电流（ 1 ）：直流

SB1

—

0.1

0.8*

—

0.3

20*

10*

0.4

0.2

—

µA

输出低电压

—

= 2.1毫安

= 100

µA

= –100

µA

= -1.0毫安

输出高电压

– 0.2 —

2.4

—

注：1。典型值是在V

= 3.0 V， TA = + 25 ° C和指定的加载，并不能保证。

2.该特征仅对于L版保证。

3.该特征仅对于L -SL版本保证。

电容

（ TA = + 25 ° C，F = 1兆赫）

参数

输入电容*

输入/输出电容*

注意：

符号

CIN

I / O

典型值

—

最大

单位

测试条件

VIN = 0 V

I / O

= 0 V

1，这个参数进行采样，而不是100 ％测试。

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