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    HM62W16255HTT-15 参数 Datasheet PDF下载

    HM62W16255HTT-15图片预览
    型号： HM62W16255HTT-15
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4M高速SRAM （ 256千字×16位） [4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 17 页 / 102 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HM62W16255HTT-15的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HM62W16255HTT-15的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HM62W16255HTT-15的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HM62W16255HTT-15的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HM62W16255HTT-15的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HM62W16255HTT-15的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HM62W16255HTT-15的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HM62W16255HTT-15的Datasheet PDF文件第9页  
    HM62W16255H系列
    4M高速SRAM （ 256千字
    ×
    16-bit)
    ADE - 203-751D （ Z）
    1.0版
    1998年9月15日
    描述
    该HM62W16255H是4兆高速静态RAM举办256千字
    ×
    16位。它实现了高
    通过采用CMOS工艺（ 4-晶体管+2 - 聚电阻存储单元）和高速高速存取时间
    电路设计技术。它最适合于需要高速的应用中，高
    密度存储器和宽位宽度配置，例如高速缓存和缓冲存储器中的系统。该
    HM62W16255H被打包在400密耳的44引脚SOJ和400万44引脚塑料TSOPII高密度
    表面安装。
    特点
    •
    3.3 V单电源： 3.3 V
    ±
    0.3V
    •
    访问时间： 12/15 NS （最大值）
    •
    完全静态存储器
    无需时钟或定时选通
    •
    平等的机会和周期时间
    •
    直接TTL兼容
    所有输入和输出
    •
    工作电流：一百六十〇分之一百八十○毫安（最大）
    •
    TTL待机电流： 60/50毫安（最大）
    •
    CMOS待机电流5mA （最大）
    ： 1毫安（最大值） （L-版本）
    •
    数据重新拉紧电流： 0.6毫安（最大值） （L-版本）
    •
    数据卷紧电压： 2.0 V（分钟） （L -版）
    •
    中心V
    CC
    和V
    SS
    引出线类型

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