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    HM658512ALFP-10 参数 Datasheet PDF下载

    HM658512ALFP-10图片预览
    型号： HM658512ALFP-10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4米PSRAM （ 512千字×8位） 2 k刷新 [4 M PSRAM (512-kword x 8-bit) 2 k Refresh]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 22 页 / 105 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HM658512ALFP-10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HM658512ALFP-10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HM658512ALFP-10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HM658512ALFP-10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HM658512ALFP-10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HM658512ALFP-10的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HM658512ALFP-10的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HM658512ALFP-10的Datasheet PDF文件第9页  
    HM658512A系列
    4米PSRAM （ 512千字
    ×
    8-bit)
    2 k刷新
    ADE-203-218C(Z)
    修订版3.0
    1997年11月
    描述
    日立HM658512A是一个伪CMOS静态RAM举办512千字
    ×
    8位。它实现了更高的
    密度，更高的性能和低功耗通过使用0.8微米的Hi- CMOS工艺
    技术。
    它提供了低功耗数据保持了自刷新模式。它也提供了简单的非复用地址
    界面和易于刷新的功能。 HM658512A适合其带电池的工作得心应手系统
    备份系统。
    该装置被装在一个小的525密耳的SOP （ 460密耳体的SOP ）或8
    ×
    20毫米TSOP厚度
    1.2毫米或600密耳的塑料DIP 。制成的带载体封装高密度定制卡也
    可用。
    特点
    •
    采用5 V （ ± 10 ％ ）
    •
    高速
    存取时间
    CE
    访问时间： 70/80/100 NS （最大值）
    周期
    随机读/写周期时间：
    115/130/160 NS （分钟）
    •
    低功耗
    主动： 250毫瓦（典型值）
    待机： 200 μW （典型值）
    •
    直接TTL兼容
    所有输入和输出
    •
    简单的地址配置
    非复用地址
    •
    刷新周期
    2048刷新周期： 32毫秒

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