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HN58X2416FPI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HN58X2416FPI
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内容描述: 两线串行接口8K位EEPROM ( 1千字×8位) / 16K EEPROM ( 2千字×8位) / 32K EEPROM ( 4千字×8位) / 64K EEPROM ( 8千字X 8位) [Two-wire serial interface 8k EEPROM (1-kword x 8-bit)/16k EEPROM (2-kword x 8-bit)/32k EEPROM (4-kword x 8-bit)/64k EEPROM(8-kword x 8-bit)]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
文件页数/大小: 22 页 / 71 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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HN58X2408I/HN58X2416I/HN58X2432I/HN58X2464I
页写:
EEPROM是能够在页写操作,它允许任意数目的字节多达32个字节的
被写在一个写周期。页写是相同的序列的字节写入除外
输入更多的写数据。页写由一个起始条件启动,器件地址,
内存地址( n)和写入数据( DN)每第九位的确认。该EEPROM进入
页写操作,如果EEPROM接收更多的写入数据,而不是接收到一个停止条件( DN + 1 ) 。
该a0到A4地址位在接收到的写数据(DN + 1)自动增加。该EEPROM
可以继续接收写入数据多达32个字节。如果a0到A4地址位到达的最后一个地址
页面中, A0到A4地址位将翻转到同一页的首地址和以前的写数据
将被覆盖。一旦接收到一个停止条件,则EEPROM停止接收写数据,并进入
内部定时写周期。
页写操作
设备
地址
8K到
16k
开始
设备
地址
32K到
64k
开始
1010
W
内存
ADDRESS (N )
W
a7
a6
a5
a4
a3
a2
a1
a0
写数据(N )
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
写数据( N + M )
D5
D4
D3
D2
D1
D0
1010
确认
读/写
第一个记忆
ADDRESS (N )
*
1
*
1
*
1
a12 *
2
a11
a10
a9
a8
确认
确认
停止
确认
写数据(N )
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
第二存储器
ADDRESS (N )
a7
a6
a5
a4
a3
a2
a1
a0
写数据( N + M )
D5
D4
D3
D2
D1
D0
确认
读/写
确认
确认
确认
确认
停止
注意事项: 1。不要在意位32K和64K 。
2.不要在意位32K 。
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