ODU
IGBT模块
MBN400GS12AW
硅N沟道IGBT
外形绘图
以毫米单位
EAT RES
特点
*
高速和低饱和电压。
*
低噪音，由于内置随心所欲
二极管 - 超软快恢复二极管（ USFD ） 。
*
孤立的头接收器（终端基地） 。
E
E
G
C
重量： 480 （ G）
码头
绝对最大额定值（ TC = 25
°C
)
项
集电极 - 发射极电压
门极电压
集电极电流
正向电流
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
Cp
I
F
I
FM
Pc
T
j
T
英镑
V
ISO
-
-
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
V
RMS
牛米
（ kgf.cm ）
MBN400GS12AW
1,200
±20
400
800
400
800
2,000
-40 ~ +150
-40 ~ +125
2500 （ AC 1分钟）
1.37(14)/2.94(30)
2.94(30)
DC
1ms
DC
1ms
(1)
集电极耗散功率
结温
储存温度
隔离电压
螺杆转矩
码头
MOUNTING
(2)
(3)
注：（ 1 ）RMS二极管120Arms最大电流。
（ 2 ）推荐值1.18 / 2.45N.m （ 12 / 25kgf.cm ）
（ 3 ）推荐值2.45N.m （ 25kgf.cm ）
特征
项
(Tc=25
°C
)
符号
单位
分钟。
典型值。马克斯。
测试条件
集电极发射极截止电流
I
CES
mA
-
-
1.0 V
CE
=1,200V,V
GE
=0V
栅射极漏电流
I
GES
nA
-
-
±500
V
GE
=±20V,V
CE
=0V
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
V
-
2.7
3.4 I
C
=400A,V
GE
=15V
门射阈值电压
V
GE （ TO ）
V
-
-
10 V
CE
= 5V ，我
C
=400mA
输入电容
C
IES
pF
-
37,000
-
V
CE
=10V,V
GE
=0V,f=1MHz
上升时间
t
r
-
0.25
0.5 V
CC
=600V
ms
启动时间
t
on
-
0.4
0.7 R
L
=1.5W
开关时间
下降时间
t
f
-
0.25
0.35 R
G
=2.7W
(4)
-
0.75
1.1 V
GE
=±15V
关闭时间
t
关闭
峰值正向电压降
V
FM
V
-
2.5
3.5 I
F
=400A,V
GE
=0V
反向恢复时间
t
rr
-
-
0.4 I
F
=400A,V
GE
= -10V ，的di / dt = 400A / MS
ms
结到外壳
RTH （J -C ）
° C / W
-
-
0.06
热阻抗
IGBT
-
-
0.14
FWD
RTH （J -C ）
注：（ 4）R
G
值是为切换时间，不推荐使用值的决定测试条件的值。
确定合适的R
G
开关波形的测量值后，
（过冲电压等）与设备安装。
PDE-N400GS12AW-0
HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
