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MBN400C20 参数 Datasheet PDF下载

MBN400C20图片预览
型号: MBN400C20
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内容描述: 硅N沟道IGBT [Silicon N-channel IGBT]
分类和应用: 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 65 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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IGBT模块
MBN400C20
硅N沟道IGBT
外形绘图
以毫米单位
特点
*
高的热疲劳耐久性。
(DELTA TC = 70 ° C, N>20,000cycles )
*
低噪音,由于内置随心所欲
二极管 - 超软快恢复二极管( USFD ) 。
*高
高速,低损失的IGBT模块。
*低
动力由于低投入
电容MOS栅极。
*高
可靠性,高耐久性的模块。
*
孤立的头接收器(终端基地) 。
重量: 350 ( G)
E
E
G
C
码头
绝对最大额定值( TC = 25
°C
)
集电极 - 发射极电压
门极电压
集电极电流
正向电流
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
Cp
I
F
I
FM
Pc
T
j
T
英镑
V
ISO
-
-
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
V
RMS
牛米
MBN400C20
2,000
±20
400
800
400
800
3,000
-40 ~ +125
-40 ~ +125
4000 ( AC 1分钟)
2/10
2.8
DC
1ms
DC
1ms
集电极耗散功率
结温
储存温度
隔离电压
码头
(M4/M8)
螺杆转矩
MOUNTING
(M5)
(1)
(2)
注:( 1 )推荐值1.8 ± 0.2 / 9 ± 1N.m
( 2 )推荐值2.6 ± 0.2N.m
特征
(Tc=25
°C
)
符号
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
V
GE ( TO )
C
IES
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
FM
t
rr
单位
mA
nA
V
V
nF
分钟。
-
-
-
4.0
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
4.2
5.1
46
1.4
1.7
1.8
4.0
2.4
0.5
马克斯。
4.0
±200
5.2
7.0
100
2.3
2.6
2.4
5.9
3.4
0.9
测试条件
集电极发射极截止电流
栅射极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
门射阈值电压
输入电容
上升时间
启动时间
开关时间
下降时间
关闭时间
峰值正向电压降
反向恢复时间
V
CE
=2,000V,V
GE
=0V
V
GE
=±20V,V
CE
=0V
I
C
=400A,V
GE
=15V
V
CE
= 10V ,我
C
=400mA
V
CE
=10V,V
GE
=0V,f=100KHz
V
CC
=1,000V,Ic=400A
ms
L=200nH
R
G
=12W
(3)
V
GE
= ± 15V锝= 125°C
-Ic=400A,V
GE
=0V
V
ms
Vcc=1,000V,-Ic=400A,L=200nH,
TC = 125°C ( 4 )
° C / W
热阻抗
IGBT
RTH (J -C )
-
-
0.033
结到外壳
FWD
RTH (J -C )
-
-
0.10
注:( 3)R
G
值是为切换时间,不推荐使用值的决定测试条件的值。
确定合适的R
G
开关波形的测量值后,
(过冲电压等)与设备安装。
( 4 )反臂的IGBT V
GE
=-15V
PDE-N400C20-0