PF01411B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	PF01411B
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内容描述：	MOS FET功率放大器模块E-GSM手持电话 [MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM Handy Phone]
分类和应用：	射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器GSM高功率电源电话
文件页数/大小：	4 页 / 29 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

PF01411B

电气特性

（ TC = 25 ° C）

项

频带

控制电压范围

排水截止电流

总有效率

二阶谐波失真

3次谐波失真

输入VSWR

输出功率（1）

符号

APC

第二H.D.

第三H.D.

电压驻波比（上）

的Pout （1）

民

880

0.5

—

35.5

典型值

—

–45

1.5

36.0

最大

915

2.2

100

—

–35

—

单位

兆赫

µA

dBc的

—

DBM

引脚= 0dBm的，V

= 3.5V,

APC

= 2.2V ，R

= RG = 50Ω ，

TC = 25°C

引脚= 0dBm的，V

= 3.0V,

APC

= 2.2V ，R

= RG = 50Ω ，

TC = 85°C

引脚= 0dBm的，V

= 3.5V,

APC

= 0.5V ，R

= RG = 50Ω ，

TC = 25°C

引脚= 0dBm的，V

= 3.5V,

的Pout = 0〜 35.5dBm

= RG = 50Ω ， TC = 25℃

引脚= 0dBm的，V

= 3〜 5.1V ，

噘

≤

35.5dBm,

VAPC

≤

2.2V GSM脉冲。

RG = 50Ω ，TC = 25 ° C，

输出VSWR = 6 ： 1所有阶段

引脚= 0dBm的，V

= 3〜 5.1V ，

噘

≤

35.5dBm,

VAPC

≤

2.2V GSM脉冲。

RG = 50Ω ， T = 20秒。， TC = 25 ° C，

输出VSWR = 10 ： 1所有阶段

= 8V, V

APC

= 0V

引脚= 0dBm的，V

= 3.5V,

噘嘴= 35.5dBm ， VAPC =控制

= RG = 50Ω ， TC = 25℃

测试条件

输出功率（2）

的Pout （2）

33.5

34.2

—

DBM

隔离

—

–40

–36

DBM

开关时间

TR ， TF

—

µs

稳定性

—

无寄生振荡

—

负载VSWR容差

—

没有退化

—

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