HMC415LP3
/
415LP3E
v03.0605
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放， 4.9 - 5.9 GHz的
特点
增益： 20分贝
34 ％的PAE @ PSAT = +26 dBm的
3.7 ％ EVM @噘= +15 dBm的
与54 Mbps的OFDM信号
电源电压： + 3V
掉电功能
低外部元件数量
典型应用
该扩增fi er非常适合用作动力
扩增fi er为4.9 - 5.9 GHz的应用程序：
• 802.11a的无线局域网
• WLAN的HiperLAN
•接入点
11
线性&功率放大器 - SMT
• UNII & ISM收音机
工作原理图
概述
该HMC415LP3 & HMC415LP3E高艾菲
效率砷化镓的InGaP异质结双极转录
而其使用的体管（ HBT ） MMIC功率放大器
与4.9和5.9千兆赫。该放大器是封装
年龄在低成本，无引线表面贴装封装
年龄暴露的基地，以提高RF和
散热性能。用最少的外部
组件，该放大器提供的增益为20dB ，
+26 dBm的饱和功率，和34 ％的PAE从
+ 3V电源电压。 VPD可以用于全功率
向下或RF输出功率/电流控制。为+15
OFDM dBm的输出功率（ 64 QAM ， 54 Mbps）的，在
HMC415LP3 & HMC415LP3E实现一个错误
矢量幅度3.7 ％，会议的802.11a （ EVM ）
线性度要求。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， VS = 3V ， VPD = 3V
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1dB输出功率
压缩（ P1dB为）
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
误差矢量幅度
（ 54 Mbps的OFDM信号@ +15 dBm的噘）
噪声系数
电源电流（WinSock ）
控制电流（ IPD ）
开关速度
VPD = 0V / 3V
VPD = 3V
吨， Toff的
ICQ = 200毫安
6
0.002 /
285
7
45
28
ICQ = 285毫安
ICQ = 200毫安
20
18
分钟。
典型值。
4.9 - 5.1
20
0.04
10
10
22.5
22.0
25.5
31
29
20.5
0.05
18.5
马克斯。
分钟。
典型值。
5.1 - 5.4
20.5
0.04
9
12
23.0
22.5
26
32
3.7
6
0.002 /
285
7
45
6
0.002 /
285
7
45
27
18
0.05
16
马克斯。
分钟。
典型值。
5.4 - 5.9
19
0.04
8
8
21.5
21.0
24
30
0.05
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/
°C
dB
dB
DBM
DBM
DBM
%
dB
mA
mA
ns
11 - 66
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