微波公司
v01.0801
HMC216MS8
特点
IP3 （输入） ： +25 dBm的@ +11 dBm的LO
LO范围从3到+11 dBm的
转换损耗： 8.5分贝
LO / RF隔离： 32分贝
砷化镓表面贴装双平衡
FET混频器， 1.3 - 2.5 GHz的
典型应用
该HMC216MS8是理想的：
•基站
• WirelessLAN
- PCMCIA
•便携式无线
工作原理图
概述
该HMC216MS8是一款超小型双
在一个8引脚塑料表面平衡FET混频器
贴装封装（ MSOP ） 。这MMIC混频器
的砷化镓开关FET和新颖的构造
平面变压器巴伦芯片上。此外
一个LO驱动的3到13 dBm时，对栅极电压
VGG = -0.9到-1.6伏是必需的。该设备可以
用作上变频或下变频为
1900或2400 MHz的应用。一致
MMIC性能会提高系统的操作
化，并确保合规性。
12
调音台 - SMT
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C，作为LO驱动器的功能， VGG = -1.2伏
LO = +11 dBm的
参数
分钟。
频率范围， RF & LO
频率范围，中频
转换损耗
噪声系数（ SSB ）
LO至RF隔离
LO至IF隔离
IP3 （输入）
1分贝增益压缩（输入）
27
17
21
8
典型值。
1.3 - 2.5
DC - 0.65
9
9
30
20
25
11
10.5
10.5
27
17
14
5
马克斯。
分钟。
典型值。
1.6 - 2.3
DC - 0.5
8.5
8.5
32
20
18
10
10
10
27
17
8
3
马克斯。
分钟。
典型值。
1.7 - 2.0
DC - 0.4
9
9
32
20
12
8
10.5
10.5
马克斯。
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
LO = +7 dBm的
LO = +3 dBm的
单位
12 - 54
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12伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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