v01.1201
微波公司
HMC265LM3
砷化镓MMIC次谐波
SMT调音台， 20 - 31 GHz的
特点
集成LO放大器ER ： -4 dBm的输入
SUB -谐泵浦（ X2 ） LO
高2LO / RF隔离： > 28分贝
LM3 SMT封装
典型应用
该HMC265LM3是理想的：
• 20和31 GHz的微波无线电
•下变频器的点对点无线电
• LMDS和SATCOM
工作原理图
概述
该HMC265LM3是20 - 31 GHz的表面贴装
次谐波泵浦（ X2 ） MMIC混频器向下
转换器集成LO和中频放大器器
一个SMT无铅芯片载体封装。该2LO到
RF和IF隔离是一个很好的28至47分贝，
省去了额外的滤波网络。该
LO放大器器是一个偏置（ + 3V至+ 4V ） 2
舞台设计，只有-4 dBm的驱动要求。
所有数据是与非密封，环氧树脂密封
LM3封装器件安装在一个50欧姆的测试
网络连接夹具。利用HMC265LM3消除了
需要进行引线键合，从而提供一个反面
sistent连接界面为客户。
12
调音台 - SMT
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C，当VDD的功能
参数
IF = 2 GHz的
LO = -4 dBm的& VDD = + 4V
分钟。
频率范围， RF
频率范围， LO
频率范围，中频
转换增益（ RF至IF ）
噪声系数（ SSB ）
2LO至RF隔离
2LO至IF隔离
IP3 （输入）
1 dB压缩（输入）
电源电流（ IDD）
21
39
2
-1
-2
典型值。
20 - 31
10 - 15.5
0.7 - 3
3
13
28
47
8
+2
50
28
40
6
0
0
马克斯。
IF = 2 GHz的
LO = -4 dBm的& VDD = + 4V
分钟。
典型值。
27 - 30
13.5 - 15
0.7 - 3
4
13
35
48
10
+3
50
20
38
2
-1
马克斯。
IF = 2 GHz的
LO = -4 dBm的& VDD = 3V +
分钟。
典型值。
21 - 30
10.5 - 15
0.8 - 2.8
3
13
28
47
8
0
40
马克斯。
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
单位
*除另有说明外，所有的测量值进行的下变频器，中频= 2千兆赫。
12 - 94
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