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型号: HMC283LM1
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内容描述: 贴片中功率的GaAs MMIC放大器, 17 - 40 GHz的 [SMT MEDIUM POWER GaAs MMIC AMPLIFIER, 17 - 40 GHz]
分类和应用: 放大器射频微波
文件页数/大小: 8 页 / 368 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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v04.1201
微波公司
HMC283LM1
贴片中功率的GaAs MMIC
放大器, 17 - 40 GHz的
特点
SMT毫米波套餐
PSAT输出功率: +21 dBm的
高增益: 21分贝
无需外部匹配
8
放大器 - SMT
典型应用
该HMC283LM1是理想的:
•毫米波点对点Point收音机
• LMDS
• SATCOM
工作原理图
概述
该HMC283LM1是一个中等功率放大器ER( MPA )
在占地17到SMT无铅芯片载体封装
40千兆赫。该LM1是真正的表面安装宽带
毫米波包提供低损耗&优异
I / O比赛保持MMIC芯片的性能。利用
在GaAs PHEMT工艺,设备提供20 dB的增益
和+21 dBm的输出继电器功率偏置电源的+ 3.5V
@ 300毫安。作为替代芯片和 - 线混合
组件的HMC283LM1省去了
引线键合,从而提供一致的连接
灰界面为客户。该扩增fi er可能
用作倍频器。内置的测试焊盘( VDET)
可监测的微波输出功率。所有数据
是与非密封,环氧树脂密封LM1打包
MPA装置安装在一个50欧姆测试网络连接夹具。
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C, VDD = 3.5V + * , LDD = 300毫安
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
为1 dB压缩输出功率( P1dB为)
饱和输出功率( PSAT )
输出三阶截取点( IP3 )
噪声系数
电源电流( IDD)
6
4
30
14
17
22
15
分钟。
典型值。
17 - 40
20
0.05
10
7
40
18
21
27
10
300
330
0.07
6
4
35
14
17
21
17
马克斯。
分钟。
典型值。
21 - 30
22
0.05
12
8
45
18
21
27
10
300
330
0.07
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
* VDD = 3.5V + ,调整VGG = VGG1 , Vgg2之间-2.0〜 + 0.4V ,实现独立同= 300 mA典型。
8 - 14
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