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HMC327MS8G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HMC327MS8G
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内容描述: 砷化镓的InGaP HBT MMIC功率放大器, 3.0 - 4.0 GHz的 [GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz]
分类和应用: 射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器
文件页数/大小: 8 页 / 262 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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v02.1202
微波公司
HMC327MS8G
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放, 3.0 - 4.0 GHz的
特点
增益: 21分贝
饱和功率: +30 dBm的
45 %的PAE
电源电压: + 5.0V
掉电功能
低外部元件数量
8
放大器 - SMT
典型应用
该扩增fi er非常适合用作动力
扩增fi er为3.3 - 3.6 GHz的应用程序:
•无线本地环路
工作原理图
概述
该HMC327MS8G是高英法fi效率砷化镓
的InGaP异质结双极晶体管( HBT )
MMIC电源放大器呃这之间运行
3.0和4.0千兆赫。该扩增fi er封装在一个
成本低,表面贴装8引脚封装,
露出的基体,以提高射频和热
性能。用最少的外部的COM的
ponents ,该放大器器提供的增益为21 dB时,
饱和功率为+30 dBm的从45 % PAE
A + 5.0V的电源电压。掉电能力
可节省电流消耗时,
的扩增fi er不使用。
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C, VS = 5V , VCTL = 5V
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率的1dB压缩( P1dB为)
饱和输出功率( PSAT )
输出三阶截取点( IP3 )
噪声系数
电源电流(WinSock )
控制电流( IPD )
开关速度
VPD = 0V / 5V
VPD = 5V
吨, Toff的
36
24
17
分钟。
典型值。
3.0 - 4.0
21
0.025
15
8
27
30
40
5.0
0.002 / 250
7
40
24
0.035
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
mA
ns
8 - 104
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