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型号: HMC333
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内容描述: 砷化镓MMIC混频器瓦特/集成LO放大器, 3.0 - 3.8 GHz的 [GaAs MMIC MIXER w/ INTEGRATED LO AMPLIFIER, 3.0 - 3.8 GHz]
分类和应用: 放大器射频微波局域网
文件页数/大小: 6 页 / 250 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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微波公司
v00.0901
HMC333
砷化镓MMIC混频器瓦特/综合
LO放大器, 3.0 - 3.8 GHz的
特点
集成LO放大器尔W / PDISS : < 25毫瓦
变频损耗/噪声系数: 8.5分贝
低LO驱动电平: 0 dBm的
输入IP3 : +10 dBm的
单正电源: 3V至5V
典型应用
该HMC333是理想的:
无线本地环路
工作原理图
概述
该HMC333是单平衡混频器与一个
集成LO放大器呃。该转换器IC就可以工作
作为吃的上变频器和下变频器
3.0 GHz和3.8 GHz的。通过集成的LO扩增
连接器,混频器,需要的只是0的LO驱动电平
dBm的,需要从单一的正面只有7毫安
+ 3V轨道。该混频器具有8.5的转换损耗分贝,
0 dBm的P1dB为输入和输入三阶
+10 dBm的拦截点在3.5 GHz频段。
12
调音台 - SMT
电气连接特定的阳离子,
T
A
= +25° C
参数
分钟。
频率范围, RF & LO
频率范围,中频
转换损耗
噪声系数( SSB )
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 (输入)
1 dB压缩(输入)
电源电流( IDD)
10
5
10
3
-3
IF = 100 MHz的
LO = 0 dBm的& VDD = 3V +
典型值。
3.0 - 3.8
DC - 1.0
8.5
8.5
15
10
15
10
+1
7
11
11
马克斯。
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
单位
*除另有说明外,所有的测量值进行的下变频器,中频= 100兆赫。
12 - 154
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