欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HMC402MS8E 参数 Datasheet PDF下载

HMC402MS8E图片预览
型号: HMC402MS8E
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 高IP3的GaAs MMIC混频器, 1.8 - 2.2 GHz的 [HIGH IP3 GaAs MMIC MIXER, 1.8 - 2.2 GHz]
分类和应用: 射频和微波射频混频器微波混频器局域网
文件页数/大小: 8 页 / 214 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
 浏览型号HMC402MS8E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMC402MS8E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HMC402MS8E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HMC402MS8E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HMC402MS8E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HMC402MS8E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HMC402MS8E的Datasheet PDF文件第8页  
HMC402MS8
/
402MS8E
v02.0705
高IP3的GaAs MMIC
调音台, 1.8 - 2.2 GHz的
典型应用
高动态范围的基础设施:
• GSM , GPRS &边缘
• CDMA & W-CDMA的
•电缆调制解调器终端系统
特点
输入IP3 : +31 dBm的
高端LO
超小型MSOP8封装: 14.8毫米
2
无需外部元件
包括在HMC- DK002设计者工具包
9
工作原理图
概述
该HMC402MS8 & HMC402MS8E高动态
在塑料表面距离的无源混频器MMIC安装
8引线微型小外形封装( MSOP )覆盖率
荷兰国际集团1.8到2.2GHz 。出色的输入IP3性能
+31 dBm的降频转换和+27 dBm的最多
转换提供了一种用于2.5G & 3G GSM / CDMA
在一个LO驱动器基于UMTS或PCS应用
+ 17dBm的。用21 dBm时,射频的1dB压缩
端口将接受宽范围的输入信号电平。
转换损耗是8.5分贝典型的LO隔离度
保持在24至30分贝。这种微型单最终
ED的单片GaAs FET混频器不需要任何
外部元件或偏压。广大50〜
500 MHz的IF频率响应将满足许多
UMTS / PCS发送或接收频率规划
配置为高边LO 。该HMC402MS8 ( E)
再加上其较高的P1dB的输入IP3性能
媲美传统的有源FET混频器,同时提供
小得多14.8毫米
2
标准IC封装和
无直流偏置。
调音台 - 高IP3 - SMT
电气电源规格,
T
A
=25
°C,
LO = +17 dBm时, IF = 300 MHz的*
参数
频率范围, RF
频率范围, LO
频率范围,中频
转换损耗
噪声系数( SSB )
LO至RF隔离
LO至IF隔离
IP3 (输入)
1分贝增益压缩(输入)
LO输入驱动电平(典型值)
24
19
27
18
分钟。
典型值。
1.8 - 2.0
1.85 - 2.5
DC - 500
8.8
8.8
30
24
30
21
16至+18
10.5
10.5
21
24
27
18
马克斯。
分钟。
典型值。
2.0 - 2.2
2.05 - 2.53
DC - 330
8.5
8.5
25
28
31
22
16至+18
10.5
10.5
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
兆赫
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
*除另有说明外,所有的测量执行作为与高侧LO & IF = 300 MHz的下变频器。
9 - 246
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com