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HMC415LP3 参数 Datasheet PDF下载

HMC415LP3图片预览
型号: HMC415LP3
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内容描述: 砷化镓的InGaP HBT MMIC功率放大器, 4.9 - 5.9 GHz的 [GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 4.9 - 5.9 GHz]
分类和应用: 射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器
文件页数/大小: 8 页 / 310 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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微波公司
v02.0604
HMC415LP3
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放, 4.9 - 5.9 GHz的
8
放大器 - SMT
绝对最大额定值
集电极偏置电压(VCC )
控制电压( VPD )
RF输入功率( RFIN ) ( VS = VPD = 3.0伏)
结温
连续PDISS (T = 85°C )
(减免17毫瓦/ ° C以上85°C )
热阻
(结点到地面桨)
储存温度
工作温度
+ 5.0VDC
+3.5伏
+20 dBm的
150 °C
1.105 W
59 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 ºC
外形绘图
注意事项:
1.材质包裹体:低应力注塑成型
塑料二氧化硅和硅浸渍。
2.铅和地面桨材料:铜合金
3.铅和地面PADDLE电镀:锡/铅焊接
4.尺寸单位:英寸[毫米]为单位。
5.引线间距有容乃非累积
6. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
7.包装WARP不得超过0.05毫米。
8.所有接地引线和接地焊盘必须焊接
PCB的RF接地。
9.按照HITTITE应用说明中建议的PCB
焊盘图形。
8 - 192
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
12伊丽莎白车道,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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