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型号: HMC422MS8
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内容描述: 砷化镓MMIC混频器瓦特/集成LO放大器, 1.2 - 2.6 GHz的 [GaAs MMIC MIXER w/ INTEGRATED LO AMPLIFIER, 1.2 - 2.6 GHz]
分类和应用: 电信集成电路放大器光电二极管
文件页数/大小: 6 页 / 182 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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HMC422MS8
/
422MS8E
v03.0710
砷化镓MMIC混频器瓦特/综合
LO放大器, 1.2 - 2.6 GHz的
典型应用
该HMC422MS8 / HMC422MS8E是理想的:
• MMDS & ISM
特点
集成LO放大器尔W / PDISS <100毫瓦
变频损耗/噪声系数: 8分贝
低LO驱动: 0 dBm的
输入IP3 : +15 dBm的
单正电源: 3V , 30毫安
10
混频器 - 单&双平衡 - SMT
•无线本地环路
• WirelessLAN
•蜂窝基础设施
工作原理图
概述
该HMC422MS8 & HMC422MS8E是双重的天平
高级混频器IC集成了LO放大器。这
混频器可以作为上变频器或downcon-操作
变频器1.2 GHz和2.6 GHz之间的。与英特
磨碎的LO放大器,混频器需要LO驱动
只有0 dBm的水平,需要从电流仅为30mA
单阳性+ 3V轨道。该混频器具有转换8分贝
锡永损失, 8 dBm的P1dB为输入和输入第三
+15 dBm的三阶截点在2 GHz 。
电气电源规格,
T
A
= +25° C
参数
分钟。
频率范围, RF & LO
频率范围,中频
转换损耗
噪声系数( SSB )
LO至RF隔离
LO至IF隔离
RF至IF隔离
IP3 (输入)
1 dB压缩(输入)
电源电流( IDD)
*除另有说明外,所有的测量值进行的下变频器,中频= 100兆赫。
23
9
9
12
5
IF = 100 MHz的
LO = 0 dBm的& VDD = 3V
典型值。
1.2 - 2.6
DC - 1
8
8
30
15 - 20
15 - 20
15
8
30
10.5
10.5
马克斯。
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
单位
10 - 218
对于价格,交货,并下订单:赫梯Microwave公司,阿尔法路20号,切姆斯福德,MA 01824
电话: 978-250-3343
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