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HMC470LP3E 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HMC470LP3E
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内容描述: 1分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字阳性对照衰减器, DC - 3.0 GHz的 [1 dB LSB GaAs MMIC 5-BIT DIGITAL POSITIVE CONTROL ATTENUATOR, DC - 3.0 GHz]
分类和应用: 射频和微波射频衰减器微波衰减器
文件页数/大小: 6 页 / 393 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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HMC470LP3
/
470LP3E
1分贝LSB的GaAs MMIC 5位数字
阳性对照衰减器, DC - 3.0 GHz的
设计者工具包
可用的
v02.0605
典型应用
特点
1分贝LSB步骤31分贝
一根控制线,每位
TTL / CMOS兼容的控制
+/- 0.3 dB的典型步骤错误
+ 5V单电源
3 ×3mm的SMT封装
包括在HMC- DK004设计者工具包
6
衰减器 - SMT
该HMC470LP3 / HMC470LP3E是理想的RF
而且如果应用程序:
•蜂窝; UMTS / 3G基础设施
• ISM , MMDS , WLAN , WiMAX的
•微波无线电& VSAT
•测试设备和传感器
工作原理图
概述
该HMC470LP3 & HMC470LP3E是宽带
5比特的砷化镓集成电路在低成本铅数字衰减器
更少的表面贴装封装。这种单一的正面
每个位数字衰减器控制线路采用
关闭附近的DC操作的芯片交流接地电容
化,使之成为适合于各种各样的射频的
而且如果应用程序。覆盖DC至3.0 GHz时,
插入损耗小于1.5 dB的典型。该
衰减器的比特值是1 (LSB) ,2,4 ,8,和16分贝
为31 dB的总衰减。衰减精度
是优秀的,在±0.3 dB的典型步骤错误与IIP3
+45 dBm的。五TTL / CMOS控制输入用于
选择每个衰减状态。的单Vdd的偏见
的+ 5V是必需的。
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C,在VDD = 5V + & VCTL = 0 / + 5V
(除非另有说明)
参数
插入损耗
衰减范围
回波损耗( RF1 & RF2 ,所有安泰信。国)
衰减精度: (参考插入损耗)
所有衰减状态
1.0 - 15.0分贝美国
16.0 - 31.0分贝美国
输入功率0.1 1dB压缩
输入三阶截点
(双音输入功率= 0 dBm的每个音)
开关特性
DC - 3.0 GHz的
TRISE , TFALL (10 /90% RF)
的tON , tOFF的(50%的CTL 〜10 /90% RF)的
160
180
ns
ns
REF - 15分贝
16 - 31分贝美国
频率(GHz )
DC - 1.5 GHz的
1.5 - 2.3 GHz的
2.3 - 3.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
DC - 3.0 GHz的
分钟。
典型值。
1.3
1.4
1.7
31
17
马克斯。
1.6
1.7
2.0
单位
dB
dB
dB
dB
dB
DC - 2.3 GHz的
2.3 - 3.0 GHz的
2.3 - 3.0 GHz的
0.1 - 3.0 GHz的
0.1 - 3.0 GHz的
± (安泰信,设置0.3 + 2 % )最大。
± (安泰信,设置0.3 + 3 % )最大。
± (安泰信。设定为0.3 + 6 % )最大。
20
45
35
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
6 - 144
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20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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