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型号: HMC517
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内容描述: 的GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器, 17 - 26 GHz的 [GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 17 - 26 GHz]
分类和应用: 放大器射频微波
文件页数/大小: 6 页 / 318 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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HMC517
v01.0606
砷化镓pHEMT的MMIC低噪声
放大器, 17 - 26 GHz的
1
放大器 - CHIP
典型应用
该HMC517是非常适合用作低噪声放大器或驱动扩增
费里的:
•点至点收音机
•点到多点无线电& VSAT
•测试设备和传感器
•军事&空间
特点
噪声系数: 2.2分贝
增益: 19分贝
OIP3 : +24 dBm的
单电源: + 3V @ 65毫安
50欧姆匹配输入/输出
工作原理图
概述
该HMC517芯片是一种高动态范围的GaAs
PHEMT MMIC低噪声放大器( LNA ),其
覆盖17〜26千兆赫的频率范围。该
HMC517提供19分贝的小信号增益, 2.2分贝
噪声系数,并具有输出IP3大于
+24 dBm的。该芯片可以很容易地集成到HY-
布里德或由于其体积小MCM组件。所有数据
与在50欧姆测试夹具芯片测试CON-
通过最小0.075毫米( 3密耳)带状连接的债券
长0.31毫米( 12万美元)。两0.025毫米(1密耳)直径
接合线也可以被用于制造RFIN和
RFOUT连接。
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C, Vdd的1 , 2 , 3 = + 3V
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率( P1dB为)
饱和输出功率( PSAT )
输出三阶截取点( IP3 )
电源电流( IDD) ( VDD = + 3V )
8
16
分钟。
典型值。
17 - 22
19
0.015
2.2
17
10
11
15
23
65
9.5
0.025
2.7
15
马克斯。
分钟。
典型值。
22 - 26
18
0.015
2.4
15
10
12.5
15
24
65
0.025
2.9
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
1 - 162
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