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型号: HMC522
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内容描述: 砷化镓MMIC I / Q混频器11 - 16 GHz的 [GaAs MMIC I/Q MIXER 11 - 16 GHz]
分类和应用: 射频和微波射频混频器微波混频器
文件页数/大小: 6 页 / 308 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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HMC522
v00.1104
砷化镓MMIC I / Q混频器
11 - 16 GHz的
典型应用
该HMC522是理想的:
•点至点和点对多点广播
特点
宽IF带宽: DC - 3.5 GHz的
镜频抑制: 35分贝
LO至RF隔离: 45分贝
高输入IP3 : +24 dBm的
3
调音台 - CHIP
•数字广播
- 甚小孔径终端
工作原理图
概述
该HMC522是一个紧凑的I / Q MMIC混频器,可
被用作一个镜像抑制混频器或一单
单边带上变频器。该芯片采用了两个标准
赫的双平衡混频器单元和一个90度
混合制作在GaAs MESFET的过程。所有
下面显示的数据被取与安装在芯片
一个50欧姆的测试夹具,并包括1密耳的影响
直径× 20万在每个端口上的长度连接线。一
低频正交混合,制作
一个100 MHz的USB IF输出。本产品是一种多
较小的替代混合风格的图像拒绝搅拌机
和单边带上变频器组件。
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C, IF = 100 MHz的LO = +15 dBm的*
参数
频率范围, RF / LO
频率范围,中频
转换损耗(由于IRM )
镜像抑制
1 dB压缩(输入)
LO至RF隔离
LO至IF隔离
IP3 (输入)
幅度平衡
相位平衡
40
18
19
分钟。
典型值。
11 - 16
DC - 3.5
7.5
30
+14
45
22
+22
0.4
4
40
20
10
20
马克斯。
分钟。
典型值。
12.7 - 15.4
DC - 3.5
7.5
35
+14
45
24
+24
0.2
3
9.5
马克斯。
单位
GHz的
GHz的
dB
dB
DBM
dB
dB
DBM
dB
*除另有说明外,所有的测量值进行的下变频器。
3 - 132
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20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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