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型号: HMC617LP3E
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内容描述: 砷化镓PHEMT SMT低噪声放大器, 0.55 - 1.2 GHz的 [GaAs SMT PHEMT LOW NOISE AMPLIFIER, 0.55 - 1.2 GHz]
分类和应用: 射频和微波射频放大器微波放大器
文件页数/大小: 8 页 / 727 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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HMC617LP3 / 617LP3E
v02.0610
砷化镓pHEMT的SMT LOW NOISE
放大器, 0.55 - 1.2 GHz的
特点
噪声系数: 0.5分贝
增益: 16分贝
输出IP3 : +37 dBm的
单电源: + 3V至+ 5V
50欧姆匹配输入/输出
16引脚3x3mm的QFN封装: 9毫米
2
7
放大器 - 低噪声 - SMT
典型应用
该HmC617lp3 ( E)是理想的:
•蜂窝/ 3G和LTE / WIMAX / 4G
• &的BT基础设施
•中继器和毫微微蜂窝基站
•公共安全无线电
•接入点
工作原理图
概述
该HmC617lp3 ( E)是GaAs PHEMT MMIC
低噪声放大器,非常适合蜂窝/ 3G和
LTE / WIMAX / 4G基站前端接收器
在550和1200 MHz工作。该放大器
经过优化,提供0.5分贝噪声系数,
16分贝增益,从一个单一的+37 dBm的输出IP3
供给+ 5V 。输入和输出回波损耗
匠心独运的LNA仅需最少的外部
匹配和偏置去耦元件。该
HmC617lp3 (五)共享相同的封装,
引脚排列与HmC618lp3 ( E) 1.7 - 2.2 GHz的低噪声放大器。
该HmC617lp3 (五)与+ 3V被偏置到+ 5V
并具有外部可调电源电流
这允许设计人员量身打造的线性度
在LNA的每个应用程序的性能。该
HmC617lp3 (五)提供了改进的噪声系数与
之前公布的HmC372lp3 ( E)和
HmC376lp3(e).
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C, Rbias两端= 3.92k欧姆*
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1分贝
压缩( P1dB为)
饱和输出功率( PSAT )
输出三阶截取点( IP3 )
电源电流( IDD)
14
13
VDD = 3伏直流
分钟。
典型值。
698 - 960
16
0.003
0.5
28
12
16
17
31
30
45
12.5
0.8
11
马克斯。
分钟。
典型值。
550 - 1200
15
0.003
0.5
22
14
16
16.5
30
30
45
18.5
1.1
13.5
马克斯。
分钟。
典型值。
698 - 960
16
0.005
0.55
22
12
21
21
37
88
115
16.5
0.85
11.5
VDD = +5 VDC
马克斯。
分钟。
典型值。
550 - 1200
16
0.005
0.6
17
15
20
20.5
37
88
115
1.1
马克斯。
单位
兆赫
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
* RBIAS电阻设定电流,请参阅应用电路这里
7-1
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