PATENTED
框图
HT1626
O 2 S C 0
O 2 S C I
（C S）
R D所
W R
D A T A
V D D
V S S小
B·Z
B·Z
T O服务否E楼Re Q ü简ç ÿ
摹简Ë岭至R
Ç 0：N
A N
牛逼IM
℃红外ç
卓升
d
以g
ü它
D为对拉Ÿ - [R A M
C 0 M 0
L C D D - [R IV E R /
B IA S·C IR Ç ú它
C 0 M 1 5
性S E摹0
性S E G 4 7
V L C ð
W上的TC H D Ø克叔IM é ř
一个N D
牛逼的IM式B A S E G è否E R A与R
IR Q
引脚分配
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
1 0 0 9 9 9 8 9 7 9 6 9 5 9 4 9 3 9 2 9 1 9 0 8 9 8 8 8 7 8 6 8 5 8 4 8 3 8 2 8 1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1 0
1 1
1 2
1 3
1 4
1 5
1 6
1 7
1 8
1 9
2 0
2 1
2 2
2 3
2 4
2 5
2 6
2 7
2 8
2 9
3 0
3 1 3 2 3 3 3 4 3 5 3 6 3 7 3 8 3 9 4 0 4 1 4 2 4 3 4 4 4 5 4 6 4 7 4 8 4 9 5 0
3 0
3 1
3 2
3 3
3 4
3 5
3 6
3 7
3 8
3 9
4 0
4 1
4 2
4 3
4 4
4 5
4 6
4 7
（C S）
R D所
W R
D A T A
N c个
N c个
V S S小
O 2 S C I
S·C Ò
V D D
V L C ð
IR Q
B·Z
B·Z
T 1
T 2
T 3
T 4
C 0 M 0
C 0 M 1
C 0 M 2
C 0 M 3
C 0 M 4使用
N c个
C 0 （M 5）
C 0 M 6
C 0米7的
C 0米8
C 0米9的
Ø M 1 0
Ø M 1 1
Ø M 1 2
O
8 0
7 9
7 8
7 7
7 6
7 5
7 4
7 3
7 2
7 1
7 0
6 9
6 8
H T 1 6 2 6
1 0 0 Q在fp -A
6 7
6 6
6 5
6 4
6 3
6 2
6 1
6 0
5 9
5 8
5 7
5 6
5 5
5 4
5 3
5 2
5 1
C
C
C
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
N c个
N c个
N c个
N c个
N c个
N c个
N c个
N c个
N c个
N c个
N c个
N c个
N c个
N c个
N c个
N c个
N c个
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
2 9
2 8
2 7
2 6
2 5
2 4
2 3
2 2
2 1
2 0
1 9
1 8
1 7
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
性S E摹
C 0 M
C 0 M
C 0 M
0
1 3
1 4
1 5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1 0
1 1
1 2
1 3
1 4
1 5
1 6
修订版1.60
2
2010年11月9日
HOLTEK [ HOLTEK SEMICONDUCTOR INC ]
