HI- 8570 ， HI- 8571
封装热特性
ARINC最大负荷
包装样式
1
ARINC 429
数据速率
低速
3
高速
4
电源电流（mA ）
TA = 25
°
C
TA = 85
°
C
2
结温， TJ
°
C
TA = 25
°
C
TA = 85
°
C
TA = 125
°
C
TA = 125
°
C
8引脚塑料ESOIC
5
20.98
26.40
20.96
26.16
20.96
25.96
38.24
44.78
98.34
104.66
138.92
144.59
TXAOUT和TXBOUT接地短路
包装样式
1
6,7,8
ARINC 429
数据速率
低速
3
电源电流（mA ）
TA = 25
°
C
TA = 85
°
C
2
结温， TJ
°
C
TA = 25
°
C
TA = 85
°
C
TA = 125
°
C
TA = 125
°
C
8引脚塑料ESOIC
5
30.26
30.44
29.22
29.42
28.46
28.68
53.75
53.92
112.76
112.95
152.04
152.25
高速
4
注意事项：
1.在静止空气中拍摄的所有数据。
2.在100％占空比，5V电源。
3.低速：数据传输速率为12.5 Kbps的，负载： R = 400欧姆，C = 30 nF的。
4.高速数据速率= 100 Kbps的，负载： R = 400欧姆，C = 10 nF的。没有提出对C数据= 30 nF的
因为这被认为是不切实际的高速操作。
5. 8引脚塑料ESOIC （耐热增强型SOIC封装，内置散热片） 。散热器没有焊接。
6.类似的结果会得到具有TXAOUT短路到TXBOUT 。
7.对于需要生存与持续短路，运行上面的应用TJ = 175 ℃，不推荐使用。
8.数据将随空气流动和散热所采用的方法而变化。
HEAT SINK - ESOIC套餐
采用8引脚热增强SOIC封装用于
HI - 8570 / HI- 8571产品。该ESOIC套餐包括
位于上的底表面上的金属散热片
装置。这种散热器应焊接到所述
印刷电路板，以获得最佳的热耗散。该
散热器被电气上与芯片分离的，并且可以是
焊接到任何地面或电源层。然而，由于
该芯片的基片是在V +时，连接所述散热片
该电源平面的建议，以避免噪声耦合
成电路。
HOLT集成电路
5
HOLTIC [ HOLT INTEGRATED CIRCUITS ]
