军事&空间产品
32K x 8静态RAM ，低功耗SOI
特点
辐射
•与RICMOS捏造
™
第四绝缘体上硅（ SOI）的
0.55
µm
低功耗工艺
•总剂量硬度通过1×10
6
RAD （SIO
2
)
其他
•读/写周期时间
≤
17纳秒（典型值）
≤
25纳秒（ -55〜 125°C ）
HLX6256
•典型工作功耗<10毫瓦/兆赫
•中子通过硬度1×10厘米
14
-2
•异步操作
•动态和静态瞬态底价硬度
通过1×10
9
RAD （SI ） / S
•剂量率生存能力通过1×10
11
RAD （SI ） / S
• 3.3 V单
±
0.3V电源
•对＆ LT软错误率; 1×10
•闭锁免费
-10
• JEDEC标准的低电压
CMOS兼容的I / O
冷门/位天
•包装选项
- 28引脚扁平封装（ 0.500英寸x 0.720的。 ）
- 28引脚DIP ， MIL -STD- 1835 ， CDIP2 - T28
- 36引脚扁平封装（ 0.630英寸x 0.650的。 ）
- 各种多芯片模块（ MCM ）的配置
概述
在32K ×8抗辐射静态RAM是一种高
性能32,768字×8位的静态随机存取
内存与行业标准的功能。这是fabri-
cated与霍尼韦尔的抗辐射技术，
与设计用于运行在低电压系统中使用
辐射环境。该内存工作在全
军用温度范围，并且只需要一个3.3 V单
±
0.3V电源。 RAM是符合JEDEC兼容
标准的低电压CMOS I / O 。功率消耗是
通常小于10毫瓦/ MHz的操作，且小于
2毫瓦时，取消选择。该RAM读取操作是完全
异步的，与14相关联的典型的存取时间
NS在3.3 V.
霍尼韦尔增强型SOI RICMOS
™
IV（辐射Insen-
sitive CMOS）技术是通过辐射硬化
采用先进的和专有的设计，布局和亲
塞斯硬化技术。该RICMOS
™
四，低功耗
过程是一个SIMOX CMOS技术具有150埃的栅极
氧化物和0.7的最小拉伸特征尺寸
µm
(0.55
µm
有效栅长-L
EFF
） 。其他功能还包括
通过插头钨，霍尼韦尔的专利SHARP安慰剂
narization过程和一个轻掺杂漏（ LDD） struc-
TURE以改善短通道的可靠性。 A 7晶体管
（ 7T ）存储单元是用于高级单粒子翻转
硬化，而三层金属电源布辛和
低收集量SIMOX基板提供改进
剂量率硬化。
HONEYWELL [ HONEYWELL SOLID STATE ELECTRONICS CENTER ]
