HTMOS
TM
高温产品
高温32K x 8静态RAM
特点
•规定在-55〜 + 225℃
•制造为HTMOS ™IV绝缘体上硅（ SOI ）
•读/写周期时间
≤
50纳秒支持20 MHz的时钟
•异步操作
• CMOS输入/输出缓冲器
•采用5 V单
±
10 ％的电力供应
•密封28引脚陶瓷DIP
HT6256
领域应用
•井下油井
•航空电子
•涡轮发动机控制
•工业过程控制
•核反应堆
•电力转换
•重型内燃机
概述
在32K ×8高温静态RAM是一种高
性能32,768字×8位的静态随机存取
内存与行业标准的功能。这是fabri-
cated与霍尼韦尔的HTMOS ™技术，并且是
专为中重度的系统中使用的操作系统
高温环境。
该内存只需要一个5 V
±
10 ％的电力供应
并拥有CMOS兼容的I / O。功率消耗是
典型地小于30毫瓦/ MHz的操作，且小于
10毫瓦时，取消选择。该RAM读取操作是完全
异步的，具有相关联的典型的存取时间
50 ns的5 V.
该内存提供了性能保证，在整个
-55到+ 225 °C温度范围。通常情况下，部分将
高达+ 300 ℃的一年，有降额perfor-
曼斯。所有部件都经过250 ℃下，以消除婴儿
死亡率。
封装引脚
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
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顶部
意见
VDD
NWE
A13
A8
A9
A11
诺埃
A10
NCS
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
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