RICMOS ™ SOI门阵列
特点
•制作在霍尼韦尔的抗辐射
– 0.65
µm
莱夫
RICMOS ™四SOI工艺， HX2000
– 0.55
µm
莱夫
RICMOS ™四SOI工艺， HX2000r
•数组的大小从40K到390K可用盖茨（ RAW）
• HX2000支持5V操作的核心
• HX2000r支持3.3V内核操作
• HX2000r支持混合电压I / O缓冲器
• TTL （ 5V ）或CMOS （ 5V / 3.3V ）兼容的I / O
•可配置的多端口门阵列SRAM
•单或双端口SRAM自定义下拉式功能
•支持芯片级掉电冷备用
•无闭锁
•支持系统速度超越100 MHz的
HX2000
HX2000r
家庭
•总剂量硬度
≥1x10
6
RAD （SIO
2
)
•剂量率翻转硬度：
≥1x10
10
RAD （SI ） /秒， HX2000 *
≥1x10
9
RAD （SI ） /秒， HX2000r *
选项可用于：
≥1x10
11
RAD （SI ） /秒， HX2000 *
≥1x10
10
RAD （SI ） /秒， HX2000r *
•剂量率生存能力
≥1x10
12
RAD （SI ） /秒*
•软错误率
≤1x10
-11
错误/位/天， HX2000
≤1x10
-10
错误/位/天， HX2000r
•中子注量硬度为1×10
14
/厘米
2
*预测
概述
该HX2000和HX2000r门阵列的性能
面向海，晶体管阵列，制造上
霍尼韦尔的RICMOS ™四绝缘体上硅（ SOI ）亲
塞斯。该HX2000阵列仅用于5V的设计。该
HX2000r阵列支持5V和3.3V工作电压。高
密度达到与标准的3层金属或
可选的4层金属工艺，提供高达29万
可用门。的高密度和性能字符
在RICMOS （放射不敏感CMOS ） SOI的开创性意义
过程可能使设备的运行超出了100 MHz的
在整个军用温度范围内，即使曝光后
一定要电离辐射超过1×10
6
RAD （二氧化硅） 。倒装
触发器已经被设计为一个软错误率（SER ）
小于1×10
-11
错误/位/天，最糟糕的斯90 ％
情况下的环境。
设计师可以选择多种I / O类型。
输出缓冲区的选项包括8个驱动器的优势， CMOS / TTL
水平， IEEE 1149.1边界扫描，上拉/下拉重
电阻取值，和三态功能。输入缓冲器可
选择CMOS / TTL /施密特触发电平， IEEE
1149.1边界扫描和上拉/下拉电阻。
双向缓冲器也可提供。
HX2000r的一个重要特征是双电压的I / O
能力，其中，设计者有完全的灵活性
术语的I / O缓冲区安置。此功能允许
相邻的I / O缓冲器具有不同的电源电压。
该HX2000 / HX2000r家庭提供config-选项
urable多端口SRAM 。字的宽度可以在被选择
单位递增。各种SRAM的读写端口
选项可用来满足大多数应用。风俗
落于宏单元还可以被实现，以进一步
提高芯片密度。字的宽度可以两种选择
位增量。单端口和双端口选项是可用
能。
该HX2000 / HX2000r家庭有一个特殊的功能，
允许一个芯片级省电模式，在该associ-
连接到所述芯片ated总线保持有效。这
每个HX2000 / HX2000r的设计是建立在我们成熟
RICMOS ASIC库SSI和MSI逻辑元件，
可配置的RAM单元，以及可选的I / O焊盘。门
阵列采用全局时钟网络能够处理
与寄存器之间的低时钟歪斜多个时钟信号
字符。这家是与霍尼韦尔的高完全兼容
可靠性筛选程序和QML一致
级Q和V的要求。
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